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    多晶硅太陽能板
    瀏覽量:184 | 回復(fù):0 | 發(fā)布時間:2008-12-26 16:53:05

    多晶硅是做太陽能電池的原料而已.

    多晶硅的制作在如下幾個步驟:

    (1)石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅,

    其化學(xué)反應(yīng)SiO2+C→Si+CO2↑

    2)為了滿足高純度的需要,必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無水氯化氫(HCl)與之反應(yīng)在一個流化床反應(yīng)器中,生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。

    其化學(xué)反應(yīng)Si+HCl→SiHCl3+H2↑

    反應(yīng)溫度為300度,該反應(yīng)是放熱的。同時形成氣態(tài)混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

    (3)第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純,需要分解:過濾硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而氣態(tài)Н2,НС1返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14,凈化三氯氫硅(多級精餾)。

    (4)凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝,以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。

    其化學(xué)反應(yīng)SiHCl3+H2→Si+HCl。

    多晶硅的反應(yīng)容器為密封的,用電加熱硅池硅棒(直徑5-10毫米,長度1.5-2米,數(shù)量80根),在1050-1100度在棒上生長多晶硅,直徑可達(dá)到150-200毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反應(yīng),并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離,或再利用,或返回到整個反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的,從某種程度上決定了多晶硅的成本和該3工藝的競爭力

    多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石”。

    在太陽能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。雖然從目前來講,要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本。從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

    從工業(yè)化發(fā)展來看,重心已由單晶向多晶方向發(fā)展,主要原因為;[1]可供應(yīng)太陽電池的頭尾料愈來愈少;[2] 對太陽電池來講,方形基片更合算,通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料;[3]多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展,全自動澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50小時)可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠,晶粒的尺寸達(dá)到厘米級;[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快,其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn),例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極,采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米,高度達(dá)到15微米以上,快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內(nèi)完成,采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過14%。據(jù)報道,目前在50~60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過17%,無機械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%,采用埋柵結(jié)構(gòu),機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8%。

    ?

    型號材料峰值功率Pm(watt)峰值電壓Vmp(V)峰值電流Imp(A)開路電壓Voc(V)短路電流Isc(A)尺寸(mm)

    APM36M5W25x24?單晶硅?5?17.3?0.29?21.6?0.35?249x235x30?

    APM36P5W35x19?多晶硅?5?17.3?0.29?21?0.34?350x187x25?

    APM36M10W36x30?單晶硅?10?17.2?0.58?22?0.66?359x296x30

    ?APM36P10W33x29?多晶硅?10?17.5?0.57?21?0.66?329x290x25?

    APM36M15W53x30?單晶硅?15?17.4?0.86?21.5?0.98?528x296x30?

    APM36P15W40x35?多晶硅?15?17.5?0.85?21?0.93?400x350x25?

    APM36M20W34x55?單晶硅?20?17.2?1.17?21.6?1.62?341x550x30

    ?APM36P20W61x29?多晶硅?20?17.5?1.15?21?1.35?610x291x25

    ?APM36M25W43x55?單晶硅?25?17.3?1.45?21.6?1.72?434x550x30

    ?APM36P25W54x42?多晶硅?25?17.5?1.7?21?2?541x422x25?

    APM36M30W62x55?單晶硅?30?17.2?1.75?21.6?1.95?622x550x30?

    APM36P30W54x51?多晶硅?30?17.5?1.7?21?2?535x510x25?

    APM36M35W62x55?單晶硅?35?17.3?2.02?21.5?2.3?622x550x30?

    APM36P35W61x54?多晶硅?35?17.5?2?21?2.3?610x541x25?

    APM36M40W62x55?單晶硅?40?17.5?2.3?21.6?2.5?624x552x30

    ?APM36P40W61x54?多晶硅?40?17.5?2.25?21?2.7?610x541x25

    ?APM36M45W81x55?單晶硅?45?17.2?2.6?21.7?2.9?811x552x30?

    APM36M50W81x55?單晶硅?50?17.3?2.9?21.5?3.2?811x552x30?

    APM36P50W77x66?多晶硅?50?17.5?2.9?21?3.2?770x660x30

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    APM36M70W119x54?單晶硅?70?17.2?4.1?21.4?4.8?1187x542x30?

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    APM36M75W119x54?單晶硅?75?16.8?4.46?21.7?5.1?1187x542x30?

    APM36P75W117x54?多晶硅?75?17.5?4.3?22?4.7?1172x541x35?

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    APM36P80W117x54?多晶硅?80?17.5?4.6?22?5.1?1172x541x35?

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    ?APM36P110W147x68?多晶硅?110?17.5?6.3?22?6.9?1470x680x50?

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    ?APM36P120W147x68?多晶硅?120?17.5?6.9?22?7.5?1470x680x50?

    APM72P130W158x81?多晶硅?130?35?3.7?44?4.1?1580x808x35?

    APM72P140W158x81?多晶硅?140?35?4?44?4.4?1580x808x35

    ?APM72M150W158x81?單晶硅?150?34.4?4.36?43.2?4.9?1580x808x35?

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    APM72M160W158x81?單晶硅?160?34.4?4.65?43.2?5?1580x808x35?

    APM72P160W158x81?多晶硅?160?35?4.6?44?5.1?1580x808x35?

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    APM72M170W158x81?單晶硅?170?35.8?4.75?44.2?5.05?1580x808x35?

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    ?APM72M190W196x99?單晶硅?190?32.5?5.9?42?6.82?1956x992x50?

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